基于特殊的內(nèi)部MOSFET架構(gòu)以及防倒充電路, TCS6203B不需要外接檢測(cè)電阻和隔離二極管。當(dāng)外部環(huán)境溫度過(guò)高或者在大功率應(yīng)用時(shí),熱反饋可以調(diào)節(jié)充電電流以降低芯片溫度。充電電壓固定在4.2V,而充電電流則可以通過(guò)一個(gè)電阻器進(jìn)行外部設(shè)置。當(dāng)充電電流在達(dá)到最終浮充電壓之后降至設(shè)定值的1/10,芯片將終止充電循環(huán)。
當(dāng)輸入電壓斷開(kāi)時(shí),TCS6203B進(jìn)入睡眠狀態(tài),電池漏電流將降到1uA以下。TCS6203B 可以被設(shè)置于停機(jī)模式,此時(shí)芯片靜態(tài)電流降至25uA。
TCS6203B還包括其他特性:電池溫度監(jiān)測(cè),欠壓鎖定,自動(dòng)再充電和兩個(gè)狀態(tài)引腳以顯示充電和充電終止。
]]>基于特殊的內(nèi)部MOSFET架構(gòu)以及防倒充電路,TCS6142H 不需要外接檢測(cè)電阻和隔離二極管。當(dāng)外部環(huán)境溫度過(guò)高或者在大功率應(yīng)用時(shí),熱反饋可以調(diào)節(jié)充電電流以降低芯片溫度。充電電壓固定在4.24V,而充電電流則可以通過(guò)一個(gè)電阻器進(jìn)行外部設(shè)置。當(dāng)充電電流在達(dá)到最終浮充電壓之后降至設(shè)定值的1/10,芯片將終止充電循環(huán) 。當(dāng)輸入電壓斷開(kāi)時(shí),TCS6142H進(jìn)入睡眠狀態(tài),電池漏電流將降到1uA以下。TCS6142H 還可以被設(shè)置于停機(jī)模式,此時(shí)芯片靜態(tài)電流降至25uA。
TCS6142H 還包括其他特性:欠壓鎖定,溫度檢測(cè),自動(dòng)再充電和充電狀態(tài)標(biāo)志。
]]>TCS6139 不需要電流檢測(cè)電阻,也不需要外部隔離二極管實(shí)現(xiàn)防倒灌應(yīng)用。充電截止電壓固定在4.2V/4.34V/4.4V, 充電電流可以外接電阻調(diào)節(jié),當(dāng)充電電流達(dá)到恒流電流的1/10時(shí),TCS6139 將終止充電。當(dāng)輸入電壓(適配器或USB)被拿掉后,TCS6139進(jìn)入睡眠模式。芯片內(nèi)部自動(dòng)關(guān)斷充電通路,輸入電壓變低。此時(shí)電池漏電流降低到2uA以下。當(dāng)TCS6139
有電源而電池拿掉時(shí),芯片電流為降低至55uA,來(lái)降低系統(tǒng)損耗。
TCS6139 還具有電池溫度檢測(cè),輸入欠壓鎖定,自動(dòng)再充電和兩個(gè)充電指示引腳。
]]>基于特殊的內(nèi)部MOSFET架構(gòu)以及防倒充電路,TCS6021HA/B不需要外接檢測(cè)電阻和隔離二極管。當(dāng)外部環(huán)境溫度過(guò)高或者在大功率應(yīng)用時(shí),熱反饋可以調(diào)節(jié)充電電流以降低芯片溫度。充電電流則可以通過(guò)一個(gè)電阻器進(jìn)行外部設(shè)置。
當(dāng)電池電壓低于2.62V(典型值)的涓流充電閾值,充電電流轉(zhuǎn)為19%的最大充電電流緩慢充電直至電壓上升超過(guò)涓流充電閾值。
TCS6021HA/B還包括其他特性:欠壓鎖定,自動(dòng)再充電和兩個(gè)狀態(tài)引腳以顯示充電和充電終止。
]]>基于特殊的內(nèi)部MOSFET架構(gòu)以及防倒充電路,TCS6048 不需要外接檢測(cè)電阻和隔離二極管。當(dāng)外部環(huán)境溫度過(guò)高或者在大功率應(yīng)用時(shí),熱反饋可以調(diào)節(jié)充電電流以降低芯片溫度。充電電壓固定在4.2V,而充電電流則可以通過(guò)一個(gè)電阻器進(jìn)行外部設(shè)置。當(dāng)充電電流在達(dá)到最終浮充電壓之后降至設(shè)定值的1/10,芯片將終止充電循環(huán)。
當(dāng)輸入電壓斷開(kāi)時(shí),TCS6048 進(jìn)入睡眠狀態(tài),電池漏電流將降到1uA以下。 TCS6048還可以被設(shè)置于停機(jī)模式,此時(shí)芯片靜態(tài)電流降至25uA。
TCS6048?還包括其他特性:欠壓鎖定,自動(dòng)再充電和充電狀態(tài)標(biāo)志。
]]>或高環(huán)境溫度條件下對(duì)芯片溫度加以限制。
TCS6354B輸入電壓最高可以耐壓 36V, 集成了6.5V 過(guò)壓保護(hù)功能; 當(dāng)電壓超過(guò) 6.5V 時(shí),芯片會(huì)自動(dòng)關(guān)斷;電壓恢復(fù)到 6.1V 以下,芯片自動(dòng)恢復(fù)正常工作。
TCS6354B充電截止電壓為 4.2V,充電電流可通過(guò)外部電阻進(jìn)行設(shè)置。當(dāng)充電電流降至設(shè)定值的 1/10 時(shí),將自動(dòng)結(jié)束充電過(guò)程;
TCS6354B確保電池接反時(shí)芯片自動(dòng)進(jìn)入保護(hù)狀態(tài),確保IC不被擊穿導(dǎo)致電池自放電引起事故。
]]>Based on the special internal MOSFET structure and anti-reverse charging circuit, the TCS6135 does not require external sense resistors and blocking diodes. When the external ambient temperature is too high or in high-power applications, thermal feedback can adjust the charging current to reduce the chip temperature. The charge voltage is fixed at 4.35V, while the charge current can be set externally with a resistor. When the charge current drops to 1/10 of the set value after reaching the final float voltage, the chip will terminate the charge cycle.
When the input voltage is disconnected, the TCS6135 goes to sleep and the battery leakage current will drop below 1uA. TCS6135 can also be set in shutdown mode, at this time the chip quiescent current is reduced to 25uA.
TCS6135 also includes other features: under voltage lockout, automatic recharge and charge status flag
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